CVDグラフェンの成長領域を高速ラマンイメージング

Gバンド強度のラマンイメージGバンド強度 Gバンド強度のラマンイメージ

励起波長
532 nm
対物レンズ
100倍 (NA=0.90)
測定時間
9分

Ni薄膜の粒塊分布概略図
Ni薄膜の粒塊分布概略図

多層グラフェンのラマンスペクトルグラフ

 

大面積グラフェン作製技術として、CVD法が期待されています。上図は、エピタキシャル成長Ni薄膜上に形成されたCVD法によるグラフェンのラマンイメージです。この測定例では、Ni粒塊内にのみ単層グラフェンが形成され、双晶境界に沿って多層グラフェンが形成されていました。多層グラフェンは炭素の偏析によって生成されており、Ni薄膜中の双晶形成が、均一なグラフェン成長の阻害要因であることが分かりました。

※本件に関してパナソニック株式会社・先端技術研究所様よりご協力いただきました。
 参考文献:S. Yoshii, K. Nozawa, K. Toyoda, et al., Nano Lett. 11(2011)2628-2633.