CVDグラフェンの成長領域を高速イメージング

Gバンド強度のラマンイメージ

励起波長:532nm
対物レンズ:100倍(NA=0.90)
測定時間:9分

大面積グラフェン作製技術として、CVD法が期待されています。上図は、エピタキシャル成長Ni薄膜上に形成されたCVD法によるグラフェンのラマンイメージです。この測定例では、Ni粒塊内にのみ単層グラフェンが形成され、双晶境界に沿って多層グラフェンが形成されていました。多層グラフェンは炭素の偏析によって生成されており、Ni薄膜中の双晶形成が、均一なグラフェン成長の阻害要因であることが分かりました。

※本件に関してパナソニック株式会社・先端技術研究所様よりご協力いただきました。

参考文献

S. Yoshii, K. Nozawa, K. Toyoda, et al., Nano Lett. 11(2011)2628-2633.